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复合等离子体离子注入及沉积装置
2017-06-08 14:13   审核人:


本系统为单室结构的高真空高功率磁控溅射与等离子体离子注入与沉积设备。装置主要由真空室、磁控靶、高电压工作转动系统、靶位控制系统、高压脉冲电源、欧洲最新型高功率磁控电源、高电压复合脉冲偏压电源、13.56MHz射频电源、电控系统等、真空测量系统、气路系统和抽气系统等组成。

主要技术指标

1、输出功率:0-1KW连续可调;

2、输出阻抗:50Ω;

3、输出频率:13560KHZ

4、频率稳定度:≤1.0×10-620℃);

5、连续工作时间:8小时。

主要附件

该设备包括真空系统1套、磁控溅射电源2套、偏压电源1套、高压电源1套及射频电源1套。

功能/应用范围

多种气体离子浸没注入。

仪器服务内容

磁控溅射实现各种复合膜如金属膜、氮化物膜、碳化物膜及氧化物膜以及调质膜的制备,配合高压电源可实现上述膜层的注入与沉积。磁控溅射电源采用直流复合脉冲电源显著提高膜层的致密度。

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